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三极管BE结的V和E分别是什么电压?

例:1脚为5V,2脚为2V,3脚为4V 解:从例子看很明显是一个NPN型硅三极管:1脚为c,2脚为b,3脚为e.原因很简单:(1)判断类型:硅管,锗管。因为三极管中be的电压:硅管为0.6 左右,锗管0.2左右 (现在使用的98%都是硅管。

无论三极管工作在放大区还是饱和区,b-e结都处于正偏状态(0.3V或0.7V)。当b-e结都处于反偏状态或短路状态时,三极管则工作在截止区。图C中,e极电压为12V,b极电压为3V,b-e结似乎处于正偏,但大大地大于0.3V,所以它不可能工作在放大区或饱和区。唯一的可能就是b-e结开路了。

因为三极管be极(be结),是一个二极管(NpN b→e为正向,pNp e→p为正向)。既然是个二极管,它正向导通时be结就有个正向压降,这个正向压降为硅0.7v、锗0.2v。在这个电压内,二极管不会导通。

Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简单,BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通,故Ube只能是0.7V左右,另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。

在三极管正常工作状态下,NPN型三极管的C极供电电压为+,由此可推断题目所述三极管为NPN管。进而做如下判断:假如c b e分别是6v 1v -4v,则该管烧断了。理由:b、e极电压=1v-(-4v)=5v,远远超过了正常b、e极的导通电压(硅管0.7v,锗管0.2v),说明b极烧毁。

NPN加正电压,PNP加负电压。击穿电压:C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例:3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V (注意:普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。

vmospro如何安装通话本

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你好,打开手机商城,在搜索框输入vmos搜索,查找到vmos,点击下方安装要安装ROM才能使用,进入ROM安装。获取手机六大权限(权限申请),如悬浮窗、电话、位置信息、相机、录音和存储空间。

首先,在手机上下载VMOS Pro的安装包。你可以在Google Play或者第三方应用市场中找到它。打开VMOS Pro的安装包,然后按照提示进行安装。安装完成后,打开VMOS Pro应用程序。在第一次打开VMOS Pro时,你需要设置一个安卓系统的镜像文件。这个文件可以在VMOS Pro应用程序的设置中下载。

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能。在vmospro中,有相应的技术支持,是能给电脑装系统的。电脑指计算机。计算机俗称电脑,是现代一种用于高速计算的电子计算机器,可以进行数值计算,又可以进行逻辑计算,还具有存储记忆功能。

不需要了,因为已经达到饱和度。所以说给他们带来一定的影响和伤害,这很关键嘛。

电子三极管的V1和V2哪个是B,哪个是E?

1、三个极分别用b、c、e表示。三极管顾名思义具有三个电极。三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示),其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。

2、三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。

3、NPN型硅管。发射极电位为零,基极电位0.7V ,集电极电位7V 。比较3电压大小,V2为中间电压,故为B极,与其相差不大的为V3 ,管脚3则为E极,所以管脚1为C极了。因B极电压与E极电压相差0.7,所以所用材料为Si,如果二者电压相差0.2则材料为Ge。因为VbVe,所以管型为PNP 反之为NPN型。

4、指针表的红表笔接一个脚,黑笔分别测另两个脚,测得两个都是正向导通时,黑笔接的就是PNP型三极管的基极。这就区分出了是NPN还是PNP的三极管了,同时知道了基极(B)。发射极(E和集电极(C)区分:根据基极对集电极和发射极的正向电阻判断,其中正向电阻低的是集电极.。

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万达哈希

作者: 万达哈希

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